本发明专利技术公开一种PECVD处理装置及在基板上进行PECVD处理的方法，所述装置包括：沉积盒以及设置在沉积盒内的第一电极、第二电极；所述沉积盒内部为处理腔，一进口以及一出口分别设置在所述沉积盒的第一侧壁以及第二侧壁，一阀门设置在所述沉积盒的第三侧壁上，所述出口设置在所述第二侧壁一侧与所述第三侧壁相邻；在处理腔内部设置有第一电极，第一电极与RF电源连接，其一端与所述阀门的位置相对应且与所述出口相邻；还设置有一电极调节装置，该电极调节装置用于调节所述第一电极与所述第二电极之间的相对角度以使第一电极与第二电极之间的等离子体气流均匀，消除因阀门和出口的设置使气流偏移引起的厚度不均匀问题。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开一种PECVD处理装置及在基板上进行PECVD处理的方法，所述装置包括：沉积盒以及设置在沉积盒内的第一电极、第二电极；所述沉积盒内部为处理腔，一进口以及一出口分别设置在所述沉积盒的第一侧壁以及第二侧壁，一阀门设置在所述沉积盒的第三侧壁上，所述出口设置在所述第二侧壁一侧与所述第三侧壁相邻；在处理腔内部设置有第一电极，第一电极与RF电源连接，其一端与所述阀门的位置相对应且与所述出口相邻；还设置有一电极调节装置，该电极调节装置用于调节所述第一电极与所述第二电极之间的相对角度以使第一电极与第二电极之间的等离子体气流均匀，消除因阀门和出口的设置使气流偏移引起的厚度不均匀问题。【专利说明】PECVD处理装置及在基板上进行PECVD处理的方法
本专利技术涉及液晶显示装置制造领域，更具体的说，涉及一种PECVD处理装置及在基板上进行PECVD处理的方法。
技术介绍
PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)Process Chamber (化学气相沉积法处理腔，以下简称PC)在进行玻璃基板上TFT-LCD (薄膜晶体管显示面板)的SiNx和ASi薄膜时，玻璃基板上沉积获得的薄膜的不同区域厚度差异不能太大，否则TFT Device (薄膜晶体管器件)电性差异过大，会造成TFT-1XD显示器不同区域的性能出现差异，如造成同一区域内颜色具有差异的情况，从而造成显示器的品质下降，当然，在沉积其它材料薄膜时，也存在膜厚不均的情况，也有可能会影响到显示装置的品质。如图1所示为现有一种现有PECVD处理装置，其Pump Port (泵出口 160)和Valve(阀门150)设置在同一侧，这样，造成了气流偏向阀门150 —侧，另外，阀门150前端的敞开区域151也会造成等离子气体偏向阀门150 —侧，由于以上原因，造成了玻璃基板180上靠近阀门150 —侧的沉积材料的膜厚偏厚的现象。目前也有通过调整RF电源130在第一电极140的位置来改变电极板间的等离子体分布，以改变不同区域膜厚的均匀性(以下简称U%)，但该方式需要降温而且需要把装置的腔盖(chamber lid)拆解，这样费时费力，而且可能需要进行反复调整才能成功，造成机台的利用率低下。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种效率高，均匀性好的PECVD处理装置及在基板上进行PECVD处理的方法。本专利技术的目的是通过以下技术方案来实现的:一种PECVD处理装置，包括:沉积盒，设置有一处理腔，一进口以及一出口分别设置在所述沉积盒的第一侧壁以及第二侧壁，一阀门设置在所述沉积盒的第三侧壁上，所述出口设置在所述第二侧壁一侧与所述第三侧壁相邻；第一电极，与电源连接，其一端与所述阀门的位置相对应且与所述出口相邻；第二电极，与所述第一电极对置；电极调节装置，用于调节所述第一电极与所述第二电极之间的相对角度以使第一电极与第二电极之间的等离子体气流均匀。优选的，所述电极调节装置包括一直接支撑所述第二电极的支撑杆以及用于调节所述支撑杆角度的调节机构。第二电极由于并未直接连接电源管道等结构，因而对第二电极进行调整可最大限度的简化调节机构。优选的，所述调节机构包括一固定在所述支撑杆上的调节杆，所述调节杆的两端分别设置有第一螺杆、第二螺杆以及用于锁定所述第一螺杆、第二螺杆的螺母，所述第一螺杆、第二螺杆分别顶压在所述沉积盒的壁面上；通过调节所述第一螺杆、第二螺杆可调节所述调节杆的角度进而调整所述支撑杆的角度。通过第一及第二螺杆直接对支撑杆调整，这种结构相对比较简单，调节也比较方便，并且精度较高。优选的，所述电极调节装置包括分别设置在所述第二电极两端用于直接支撑的第一螺杆、第二螺杆以及用于锁定所述第一螺杆、第二螺杆的螺母。这是另一种可行的实施例，通过双螺杆直接支撑，并且可调节，精度比较高。优选的，所述电极调节装置还设置有刻度。通过刻度实现调节的量化，通过实施后可对不同膜厚进行对应的角度调节，从而不需要每次进行调整。一种在基板上进行PECVD处理的方法，其中包括步骤:S:调节沉积盒中第一电极与第二电极的相对角度，使第一电极与第二电极之间的等离子体气流实现均匀。优选的，调节第一电极与第二电极的相对角度是通过对所述第二电极的角度进行调整实现，所述第二电极上设置一电极调节装置对所述第二电极的角度进行调节。优选的，所述电极调节装置包括一直接支撑所述第二电极的支撑杆以及用于调节所述支撑杆角度的调节机构。优选的，其特征在于，所述调节机构包括一固定在所述支撑杆上的调节杆，所述调节杆的两端分别设置有第一螺杆、第二螺杆以及用于锁定所述第一螺杆、第二螺杆的螺母，所述第一螺杆、第二螺杆分别顶压在所述沉积盒的壁面上；通过调节所述第一螺杆、第二螺杆可调节所述调节杆的角度进而调整所述支撑杆的角度。优选的，所述电极调节装置包括分别设置在所述第二电极两端用于直接支撑的第一螺杆、第二螺杆以及用于锁定所述第一螺杆、第二螺杆的螺母。本专利技术由于在PECVD处理装置上设置了电极调节装置用以调节第一电极以及第二电极之间的相对角度，使得两个电极之间的等离子体气流在一定程度上趋于均匀化，从而使得沉积在玻璃基板上的薄膜厚度达到良好的均匀性，消除了因为阀门以及出气口的设置使气流偏移引起的厚度不均匀问题。【专利附图】【附图说明】图1是现有一种PECVD处理装置的结构简图，图2是本专利技术实施例一 PECVD处理装置的结构简图，图3是本专利技术实施例一 PECVD处理装置原理示意图，图4是本专利技术实施例二 PECVD处理装置的结构简图。其中:100、沉积盒，101、第一侧壁，102、第二侧壁，103、第三侧壁，110、处理腔，120、进口，130,RF电源，140、第一电极，150、阀门，151、敞开区域，160、出口，170、第二电极，180、玻璃基板，190、电极调节装置，190a、调节机构，191、第一螺杆，192、第二螺杆，193、螺母，194、调节杆，195、支撑杆。【具体实施方式】下面结合附图和较佳的实施例对本专利技术作进一步说明。实施例一如图2-3所示，提供了一种改进的PECVD处理装置，其包括:沉积盒100以及设置在沉积盒100内的第一电极140、第二电极170。所述沉积盒100内部为处理腔110，一进口 120以及一出口 160分别设置在所述沉积盒100的第一侧壁101以及第二侧壁102，一阀门150设置在所述沉积盒100的第三侧壁103上，所述出口 160设置在所述第二侧壁102一侧与所述第三侧壁103相邻，这样以便于等离子气体在处理腔110内流动顺畅；在处理腔110内部设置有第一电极140，第一电极140与RF电源130连接，其一端与所述阀门150的位置相对应且与所述出口 160相邻，阀门150的前端区域为敞开设置的敞开区域151 ;在第一电极140的对立面设置有第二电极170，需要进行材料沉积形成薄膜如需要形成SiNx和ASi薄膜时，可将玻璃基板180放置在第二电极170上，然后通入等离子气体，进行PECVD流程；第二电极170设置有一电极调节装置190，该电极调节装置用于调节所述第一电极140与所述第二电极170之间的相对角度以使第一电极140与第二本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘凤举，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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