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一种基于光载流子辐射技术的半导体硅片激光退火在线检测方法技术
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下载一种基于光载流子辐射技术的半导体硅片激光退火在线检测方法的技术资料
文档序号:9925766
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本发明涉及一种基于光载流子辐射技术的半导体硅片激光退火在线检测方法,其特征在于:在半导体材料激光退火装置中加入一光学检测系统,以实现对激光退火的实时在线检测。该光学检测系统包含一束光子能量大于本征半导体材料禁带宽度的强度周期性调制的激励光束...
该专利属于中国科学院光电技术研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院光电技术研究所授权不得商用。
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