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本发明的课题是提供抑制耐压性的降低的同时有效地抑制了漏电流的半导体装置。其具备：在基板上形成的，由III族氮化物系化合物半导体构成的电子传输层；在所述电子传输层上形成的，由带隙能量比所述电子传输层高的III族氮化物系化合物半导体构成的电子供...
该专利属于先进动力设备技术研究协会所有，仅供学习研究参考，未经过先进动力设备技术研究协会授权不得商用。

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