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本发明涉及用于n衬底高侧开关的反向极性保护。公开一种半导体器件。根据本发明的第一方面，该器件包括：具有衬底的半导体芯片，电耦合到衬底以向衬底提供第一电源电位(VS)和负载电流的第一电源端，和可操作地被提供第二电源电位的第二电源端。第一垂直晶...
该专利属于英飞凌科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英飞凌科技股份有限公司授权不得商用。

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