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本实用新型属于半导体技术领域，尤其是一种多发光区的LED芯片，其特征在于芯片由下而上依次由蓝宝石层、N型氮化镓层、多层量子阱层、P型氮化镓层以及透明导电层呈阶梯式层叠而成，蓝宝石层为立方体结构，第一N型氮化镓层、多层量子阱层和P型氮化镓层组...
该专利属于上海博恩世通光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海博恩世通光电股份有限公司授权不得商用。

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