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本发明公开了一种Ge掺杂的α相三氧化二铁纳米片阵列薄膜的制备方法，首先以水热法在FTO导电玻璃基底上制备β-FeOOH纳米棒阵列薄膜；然后以阵列薄膜为基底模板，以采用液相激光熔蚀（LAL）得到的Ge纳米胶体溶液为杂质原子Ge的反应前驱体，经...
该专利属于中国科学院合肥物质科学研究院所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院合肥物质科学研究院授权不得商用。

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