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一种制作金属与n型半导体锗源漏接触的方法技术
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文档序号:9860870
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本发明公开了一种制作金属与n型半导体锗源漏接触的方法,该方法包括:清洗n型半导体单晶锗片;在该清洗后的锗片上沉积NiSn合金;以及在氮气的氛围下进行退火合金化,形成NiSnGe合金,从而得到NiSnGe与n型半导体锗的源漏接触。本发明提供的...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。
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