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本发明公开一种空间微电子行业用纳米二硫化钼-铜电接触薄膜及其制备方法。所述薄膜组分质量比为铜:二硫化钼=（94～97）:（6～3），薄膜厚度为10~70微米，薄膜孔隙率小于1%；电导率真空热处理后最高可达62IACS%；在滑动速度为≤0.2...
该专利属于燕山大学所有，仅供学习研究参考，未经过燕山大学授权不得商用。

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