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本发明是一种利用交替供源制备的高质量氮化物晶薄膜，其结构是在单晶衬底上是氮化铝AlN缓冲层；在氮化铝AlN缓冲层上是氮化物单晶薄膜。其制备方法，包括如下工艺步骤：a)单晶衬底放入反应室，高温烘烤；b)在单晶衬底上制备Al浸润层；c)在浸润层...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十五研究所授权不得商用。

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