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高压结场效晶体管制造技术
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文档序号:9839901
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本发明公开了一种高压结场效晶体管(High Voltage Junction Field Effect Transistor,HV JFET)。该高压结场效晶体管包括一衬底、一漏极、一源极及一P型顶层;漏极设置于衬底之上;源极设置于衬底之上...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。
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