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本发明公开了一种绝缘栅双极晶体管，本发明的绝缘栅双极晶体管在N型基区表面设置有P型基区、N+源区、栅氧化层和栅极介质，在N型基区下表面设置了多晶P型半导体材料作为器件的背P+发射区；本发明的绝缘栅双极晶体管降低了器件的导通电阻，提高了器件的...
该专利属于朱江所有，仅供学习研究参考，未经过朱江授权不得商用。

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