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本发明提供一种用于制作半导体器件结构的方法，包括：提供衬底，衬底包括有源区和隔离区，在衬底上形成有位于有源区上方的第一栅极结构和位于隔离区上方的作为虚设栅极结构的第二栅极结构，其中，在第一和第二栅极结构两侧形成有间隙壁结构；至少部分地蚀刻去...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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