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本发明涉及半导体测试结构设领域，尤其涉及一种避免连线金属层间介质层击穿的栅氧测试方法，通过将有上下层金属走线交叉和\或重叠的区域错开或增厚层间介质层的厚度，以提高金属间电介质抗击穿能力，进而防止上下层金属线重叠的区域，在进行栅氧层击穿测试时...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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