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本申请提供了一种差分存储NAND Flash存储器写操作的方法及装置，所述存储器包括存储阵列；其中，所述差分存储NAND Flash存储器写操作的方法包括：接收写操作指令，所述写操作指令包括目标数据和目标地址；根据所述目标地址将需要执行写操...
该专利属于北京兆易创新科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京兆易创新科技股份有限公司授权不得商用。

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