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根据本发明构思的示例实施例，一种半导体器件包括：第一和第二沟槽栅极，在基板中沿着一个方向伸长；在基板中的第三和第四沟槽栅极，该第三和第四沟槽栅极使第一和第二沟槽栅极彼此连接；由第一至第四沟槽栅极限定在基板中并由第一至第四沟槽栅极围绕的第一区...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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