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IGBT器件及其制作方法技术
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文档序号:9825678
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本发明实施例公开了一种IGBT器件,包括:衬底和位于衬底正面的栅极结构和源极结构,位于所述衬底背面的集电极结构和调整栅结构,其中,所述集电极结构和调整栅结构在所述衬底背面相间分布,且二者之间绝缘。在器件的开关状态下,调整栅结构的电压高于集电...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。
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