温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种具有高度可控鳍片的半导体器件以及制备方法，包括：提供半导体衬底；在所述衬底上依次形成第一半导体材料层、第二半导体材料层以及硬掩膜层；蚀刻所述硬掩膜层、所述第二半导体材料层以及所述第一半导体材料层，以形成沟槽和鳍片图案；各向同性...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。