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本发明提供一种IGBT，其具有发射极侧(11)上的发射极电极(2)与集电极侧(15)上的集电极电极(25)之间的层，包括：集电极侧(15)上的集电极层(9)，漂移层(8)，第二传导率类型的基极层(4)，第一源区(7)，其在基极层(4)上朝发...
该专利属于ABB技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过ABB技术有限公司授权不得商用。

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