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提供一种在对半导体层进行蒸镀而成膜时，能够直接高精度地得知半导体层的温度的测定装置以及测定方法。对半导体层照射在第1温度范围（T3-T4）内光的透射率衰减的第1波长的激光、和在第2温度范围（T5-T6）内光的透射率衰减的第2波长的激光，由受...
该专利属于瓦伊系统有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过瓦伊系统有限公司授权不得商用。

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