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一种白光LED的芯片，涉及半导体光电技术领域。包括P型氮化物出光面，位于透明导电层和P型氮化物出光面之间的金属扩展层。具体方法包括：提供完整的具有P型氮化物层、有源层、N型氮化物层的外延基片，刻蚀裸露N型层，并在必要区域，沉积包括电流阻挡层...
该专利属于扬州中科半导体照明有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过扬州中科半导体照明有限公司授权不得商用。

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