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本发明的驱动非易失性半导体装置的方法，分别向源电极(15)、漏电极(16)及下部栅电极膜(12)施加电压Vs、Vd及V3，同时，在比使强电介质膜(13)所包含的所有极化反转所需的期间短的期间内，分别向第1上部栅电极(17a)及第2上部栅电极...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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