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本发明涉及生长包括具有偏析系数k的掺杂物材料的硅锭的方法，其中，该掺杂物浓度在整个锭是轴向实质均匀的。该方法包括下列步骤：提供具有流体相通于外部进料区的内部生长区的坩锅，以及该内部生长区和外部进料区具有可用以判定维持所使用的特定掺杂物材料的...
该专利属于GT高级锆石有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过GT高级锆石有限责任公司授权不得商用。

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