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本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：衬底，衬底背面设有接地电极；位于衬底上的半导体层，半导体层包括有源区和无源区，有源区为封闭形式，有源区之外的区域为无源区；位于半导体层上的源极和漏极；位于半导体层上的栅极，栅极在源极和...
该专利属于苏州能讯高能半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州能讯高能半导体有限公司授权不得商用。

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