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本发明一实施例提供一种半导体装置的形成方法，包括：提供一基板，在该基板上依序形成一栅极介电层、一栅极材料层、一阻障氧化层、以及一硬罩幕层；依序刻蚀硬罩幕层、阻障氧化层、栅极材料层、栅极介电层及基板，以在基板中形成一沟槽；在沟槽中填入一氧化物...
该专利属于华邦电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华邦电子股份有限公司授权不得商用。

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