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本发明公开了一种沟槽型双层栅MOS的多晶硅间的热氧介质层的形成方法，包括步骤：1）生长第一氮化膜；2）沟槽刻蚀；3）生长介质层；4）生长第一层多晶硅；5）第一层多晶硅第一步反刻蚀；6)第一层多晶硅光刻及第二步反刻蚀，并去除第一层多晶硅上方的...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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