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本发明涉及为使用全金属栅极的互补金属氧化物半导体集成多阈值电压器件的方法和系统。提供衬底，该衬底上已形成有第一区域和与所述第一区域互补类型的第二区域。在所述衬底之上沉积栅极电介质，并且在所述栅极电介质之上沉积第一全金属栅极叠层。去除所述第一...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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