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本发明公开了一种CMOS工艺中集成SONOS器件和LDMOS器件的方法，包括步骤：步骤一、在硅衬底上形成浅沟槽隔离结构；形成阱区；进行阈值电压调整注入。步骤二、形成第一预氧层。步骤三、将SONOS器件形成区域的第一预氧层去除。步骤四、淀积O...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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