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一种III-V族MOSFET的小信号模型参数直接提取方法技术
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文档序号:9738747
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本发明公开了一种III-V族MOSFET的小信号模型参数直接提取方法,属于微电子集成电路技术领域。该方法是通过焊盘和金属互联线去嵌,利用晶体管直流转移特性和冷态S参数确定提取晶体管寄生电阻时的合适偏置条件,然后在该偏置条件下去除沟道电阻影响...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。
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