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提供了能够实现降低在形成外延膜或半导体元件的步骤中产生的缺陷的概率的衬底、包括该衬底的半导体器件和制造半导体器件的方法。衬底（1）是具有前表面和背表面的衬底（1），其中，前表面的至少一部分由单晶碳化硅构成，衬底具有不大于0.5nm的在前表面...
该专利属于住友电气工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过住友电气工业株式会社授权不得商用。

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