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本发明提供了一种功率MOS管，包括：衬底；形成于所述衬底上的外延层；形成于所述外延层中的沟槽；形成于所述外延层中的体注入区；形成于所述体注入区中的源极注入区和接触孔，形成于所述体注入区和源极注入区之间的抗击穿离子注入区；形成于所述接触孔内的...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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