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一种抗静电释放的LDMOS器件，属于电子技术领域。本发明在常规LDMOS器件的漏端下方一侧部分区域增加一个低压P阱，使LDMOS器件中存在一个寄生的N-P-N-P-N结构，从而增加一条低导通阻抗的电流泄放路径，该结构等效于一个BJT串联SC...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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