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本发明公开了一种MEMS麦克风结构,包括具有腔体的衬底;第一介质层,具有与腔体相通的通孔;下电极层,包括相互连接的背电极及第一引出部,背电极位于通孔上方;上电极结构,其包括由上电极层形成的振动膜、与振动膜相连的第二引出部,以及填充有一层绝缘...该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种MEMS麦克风结构,包括具有腔体的衬底;第一介质层,具有与腔体相通的通孔;下电极层,包括相互连接的背电极及第一引出部,背电极位于通孔上方;上电极结构,其包括由上电极层形成的振动膜、与振动膜相连的第二引出部,以及填充有一层绝缘...