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本发明涉及微电子技术。本发明解决了现有AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管沟道电场分布不均匀的问题，提供了一种源端场板高电子迁移率晶体管，其技术方案可概括为：一种源端场板高电子迁移率晶体管，与现有技术区别在于，其势垒层为：AlGaN第一势垒...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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