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本发明公开了深亚微米技术的布局电路优化，其中，一种集成电路在其扩散层内具有基本连续的活性扩散区。可使用这些基本连续的活性扩散区的部分制造半导体器件的活性区。应力可在其制造过程中被施加到这些半导体器件，这会在整个所述集成电路导致基本均匀的应力...
该专利属于美国博通公司所有，仅供学习研究参考，未经过美国博通公司授权不得商用。

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