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一种互连结构的制作方法，包括：在半导体衬底内形成浅沟槽，在浅沟槽内形成氧化物；在氧化物上形成刻蚀阻挡层，浅沟槽被刻蚀阻挡层及氧化物填满；形成有源区；在有源区及刻蚀阻挡层上形成层间介质层，对层间介质层进行干法刻蚀，形成暴露出部分有源区及部分刻...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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