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本发明公开了一种SiC肖特基二极管及其制作方法，该SiC肖特基二极管包括N++-SiC衬底和N--SiC外延层，N--SiC外延层形成于N++-SiC衬底之上，且N++-SiC衬底背面设有N型欧姆接触电极，N--SiC外延层表面设有肖特基接...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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