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本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种用于SOI高压PMOS器件的仿真电路及其仿真方法。本发明的一种用于SOI高压PMOS器件的仿真电路，包括PMOS管，其特征在于，所述PMOS管的漏极与可变电压源Vnh连接、衬底与固定电压源VHV连接、...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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