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本公开提供了一种低阈值电压金属氧化物半导体，该半导体器件包括：源区，被布置于半导体衬底；漏区，被布置于半导体衬底；栅区，被布置到半导体衬底上，并位于源区和漏区之间。半导体器件还包括：栅氧区，被布置到半导体衬底上，与栅区接触；以及阱区，被植入...
该专利属于美国博通公司所有，仅供学习研究参考，未经过美国博通公司授权不得商用。

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