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多栅极场效晶体管及其制作工艺制造技术
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文档序号:9669804
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本发明公开一种多栅极场效晶体管及其制作工艺,包含有一基底、一介电层以及至少一鳍状结构。基底具有一第一区以及一第二区。介电层仅位于第一区中的基底中。至少一鳍状结构位于介电层上。此外,本发明也提供一种多栅极场效晶体管制作工艺用以形成前述的多栅极...
该专利属于联华电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。
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