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文档序号:9669790
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本发明提供了一种半导体装置,在该半导体装置的外周区域中,第2半导体区域(32)达到半导体衬底(1)的第2主面(21),半导体装置还具有第6半导体区域(50),其与第2半导体区域(32)相接并具有第2导电类型,该第6半导体区域(50)包含半导...
该专利属于三垦电气株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三垦电气株式会社授权不得商用。
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