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本发明揭露一种具有间断式隔离结构及SONOS内存胞元的非易失性内存及其操作方法、制作方法，其于具有一数组区域的一半导体基板上，使每一条隔离结构具有多个空隙而形成间断式的隔离结构，以使源极线可布植于所述空隙的半导体基板中。藉此，由于源极线不被...
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