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本发明提供一种用于测试六管SRAM的漏电流的半导体测试结构，属于SRAM技术领域。该半导体测试结构中，其前端结构包括按行和列排列的六管SRAM单元，其后端结构包括从奇数列的六管SRAM单元的第一扩散区引出的第一焊盘、从偶数列的六管SRAM单...
该专利属于无锡华润上华半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华半导体有限公司授权不得商用。

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