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连接通孔至器件。本发明提供了用于连接通孔和由应变硅材料形成的晶体管端子的方法和器件。端子可以是NMOS或PMOS晶体管的源极或漏极，其形成在衬底内。衬底上方的第一层间介电(ILD)层内的第一接触件形成在端子上方并且与端子连接。通孔延伸穿过第...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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