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本发明的一个实施例所提供的半导体器件的金属布线，包含数字隔离区域、第一下部金属、第一上部金属、层叠在第一下部金属与第一上部金属之间的多个层间绝缘膜，每一个层间绝缘膜包含至少一个接触插塞，布置在最下侧的层间绝缘膜的接触插塞与第一下部金属接触，...
该专利属于美格纳半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过美格纳半导体有限公司授权不得商用。

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