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本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种光电集成电路的制造方法。本发明所述的制造方法主要步骤为：对硅片进行处理，使硅片的一部分具备氧化层；将硅片有氧化层的部分和无氧化层的部分进行隔离；在硅片上无氧化层的部分制造光电器件，在氧化层上制造电子器...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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