【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种光电集成电路的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:a.对硅片进行处理,使硅片的一部分具备氧化层;b.将硅片有氧化层的部分和无氧化层的部分进行隔离;c.在硅片上无氧化层的部分制造光电器件,在氧化层上制造电子器件。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:张有润,董梁,刘影,张飞翔,孙成春,张波,
申请(专利权)人:电子科技大学,
类型:发明
国别省市:
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