一种光电集成电路的制造方法技术

技术编号:9669581 阅读:85 留言:0更新日期:2014-02-14 11:29
本发明专利技术涉及半导体技术,具体的说是涉及一种光电集成电路的制造方法。本发明专利技术所述的制造方法主要步骤为:对硅片进行处理,使硅片的一部分具备氧化层;将硅片有氧化层的部分和无氧化层的部分进行隔离;在硅片上无氧化层的部分制造光电器件,在氧化层上制造电子器件,所述光电器件为采用纵向结构,电子器件采用SOI工艺。本发明专利技术的有益效果为使得光电二极管和集成电路模块集成于同一块芯片上,有效地减少了封装难度和成本,降低了寄生效应,提高了可靠性。本发明专利技术尤其适用于光电集成电路的制造。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种光电集成电路的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:a.对硅片进行处理,使硅片的一部分具备氧化层;b.将硅片有氧化层的部分和无氧化层的部分进行隔离;c.在硅片上无氧化层的部分制造光电器件,在氧化层上制造电子器件。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:张有润董梁刘影张飞翔孙成春张波
申请(专利权)人:电子科技大学
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1