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本发明提供一种金属硅化物半导体的形成方法，包括：提供半导体衬底；在衬底上依次形成栅极介电层、多晶硅层和硬掩膜层；图案化硬掩膜层；在图案化了的硬掩膜层的侧壁上形成第一间隙壁；以硬掩膜层和第一间隙壁为掩膜蚀刻多晶硅层和栅极介电层，形成栅极结构；...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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