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本发明公开了一种制作半导体器件的方法，包括：A）提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构；B）在所述栅极结构两侧的所述半导体衬底中形成第一凹槽和第二凹槽；C）采用流动性化学气相沉积法在所述第一凹槽和所述第二凹槽的底部形成低k介电层；以...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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