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本发明限定了具有带限定凹槽构造的内部法拉第屏蔽件的等离子体处理腔室。在一示例中，腔室包括用于接纳衬底和布置在静电卡盘上方的介电窗的静电卡盘。还包括布置在腔室内部且限定在静电卡盘和介电窗之间的法拉第屏蔽件。所述法拉第屏蔽件包括具有内区、邻近内...
该专利属于朗姆研究公司所有，仅供学习研究参考，未经过朗姆研究公司授权不得商用。

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