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本发明涉及半导体材料外延生长领域，公开了一种用于制备GaN异质结场效应晶体管的外延结构及生长方法。其外延结构由下至上依次包括衬底、应力缓冲层、高阻GaN外延层、新型插入层、非掺杂GaN沟道层和异质结势垒层，新型插入层包括一层P型掺杂GaN插...
该专利属于中山大学所有，仅供学习研究参考，未经过中山大学授权不得商用。

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